А中文在线天堂,92av在线,色一情一伦一区二区三,无码国产精品一区二区高潮

多層金屬?gòu)?fù)合材料研究現(xiàn)狀

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，對(duì)材料的性能要求也越來(lái)越高，傳統(tǒng)材料由于結(jié)構(gòu)單一，綜合性能不夠突出，難以滿(mǎn)足對(duì)多性能耦合要求的服役環(huán)境。但是由多種不同性能的材料通過(guò)物理或者化學(xué)方法結(jié)合制備而成的復(fù)合材料，既能保持各組元材料*的性能，也能取長(zhǎng)補(bǔ)短，產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)，使新制備的復(fù)合材料綜合性能遠(yuǎn)優(yōu)于各組員材料的性能，從而滿(mǎn)足不同復(fù)雜工況的要求。自然界中也有很多類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，軟/硬相結(jié)合的多層結(jié)構(gòu)可以提高其強(qiáng)度硬度的同時(shí)也能有很好的韌性。下圖為貝類(lèi)外殼的層狀結(jié)構(gòu)。圖1貝類(lèi)外殼顯微結(jié)構(gòu)由于異種金...

金屬基復(fù)合材料的制備

近些年來(lái)，科技的不斷發(fā)展和進(jìn)步，使得傳統(tǒng)材料已無(wú)法滿(mǎn)足多種產(chǎn)業(yè)對(duì)其比強(qiáng)度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發(fā)是現(xiàn)今新科技發(fā)展的重要方向，而復(fù)合材料的出現(xiàn)在較大程度上解決了材料所面臨的問(wèn)題，促進(jìn)了材料的發(fā)展。復(fù)合材料是由２種或２種以上不同性質(zhì)的材料，通過(guò)物理或化學(xué)的方法，在宏觀（微觀）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強(qiáng)度和比剛度，金屬基復(fù)合材料的研究和發(fā)展受到了眾多行業(yè)尤其是重工業(yè)的密切關(guān)注，然而加工困難是限制其工業(yè)應(yīng)用的瓶頸問(wèn)題，成本控制問(wèn)題也并沒(méi)有得到完*，所以...

金屬基復(fù)合材料的發(fā)展現(xiàn)狀

金屬基復(fù)合材料除了具有高比強(qiáng)度、高比模量和低膨脹系數(shù)等特點(diǎn)外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導(dǎo)電和高導(dǎo)熱性，同時(shí)還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點(diǎn)。通過(guò)不同材料的組合，可以人為地制造出符合科技與工業(yè)生產(chǎn)要求的復(fù)合金屬材料，可以應(yīng)用于機(jī)械制造、冶金、交通、船舶、制藥等多個(gè)領(lǐng)域。1、金屬基復(fù)合材料的研究歷史及發(fā)展現(xiàn)狀在２０世紀(jì)６０年代，由于傳統(tǒng)金屬材料無(wú)法滿(mǎn)足一些國(guó)家對(duì)于高性能武器裝備以及航空技術(shù)發(fā)展的需求，因此人們開(kāi)始了對(duì)新材料的研究和開(kāi)發(fā)，促成了金屬基復(fù)合材料的...

金屬基復(fù)合材料

金屬基復(fù)合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強(qiáng)度材料作為增強(qiáng)體，制備而成的一種復(fù)合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復(fù)合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強(qiáng)相可以分為連續(xù)纖維增強(qiáng)（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續(xù)纖維增強(qiáng)（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強(qiáng)，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強(qiáng)，氧化鋁纖維等短纖維增強(qiáng)）和疊層復(fù)合三類(lèi)...

碳化硅半導(dǎo)體封裝核心技術(shù)分析——銀燒結(jié)技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電子產(chǎn)品正在向著質(zhì)量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復(fù)雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)情況下都要有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會(huì)引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來(lái)了一些了問(wèn)題如溫度漂移等，會(huì)嚴(yán)重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問(wèn)題，近年來(lái)，納米銀燒結(jié)技術(shù)受到了越來(lái)越多研究者的關(guān)注。圖1蘋(píng)果手機(jī)主板上的器件集成度越來(lái)越高低溫?zé)Y(jié)互連技術(shù)...

碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長(zhǎng)較常見(jiàn)，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運(yùn)法（PVT），該方法是一種氣相生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)溫度高，對(duì)原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)PVT工藝的開(kāi)發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會(huì)惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會(huì)使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...

第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周?chē)鸀镃原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對(duì)ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié)，通過(guò)對(duì)燒結(jié)過(guò)程中各因素的控制，來(lái)有效控制ITO素坯晶粒的生長(zhǎng)，從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對(duì)粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價(jià)值也越高。國(guó)外可以做寬1200毫米、長(zhǎng)近3000毫米的單塊靶材，國(guó)內(nèi)只能制造不超過(guò)800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...